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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 王振华; 杨安丽; 刘祥林; 魏鸿源; 焦春美; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(733Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1175/259  |  提交时间:2011/08/16 |
| 生长氧化锌纳米棒阵列的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994 发明人: 范海波; 杨少延; 张攀峰; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(330Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1544/249  |  提交时间:2010/03/19 |
| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1431/206  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郭严; 宋华平; 郑高林; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(378Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1428/262  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 时凯; 刘祥林; 魏鸿源; 焦春美; 王俊; 李志伟; 宋亚峰; 杨少延; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(580Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1126/184  |  提交时间:2012/09/09 |