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直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术 成果
2007
主要完成人:  李晋闽;  曾一平;  惠峰;  卜俊鹏;  王文军;  郑红军;  孙红方
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六英寸半绝缘砷化镓单晶  
抗辐射加固CMOS/SOS集成电路研制 成果
1995
主要完成人:  刘忠立;  和致经;  郁元桓;  于芳;  杨钦英
收藏  |  浏览/下载：1203/0  |  提交时间：2010/04/13
抗辐射  
高压液封法生长热稳定不掺杂半绝缘GaAs 成果
1986
主要完成人:  林兰英;  叶式中;  何宏家;  方兆强;  曹福年
收藏  |  浏览/下载：1073/0  |  提交时间：2010/04/13
半绝缘gaas