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碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  马志勇;  冉学军;  王翠敏;  肖红领;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  李晋闽;  王军喜;  王晓亮;  王启元;  刘宏新;  王俊;  曾一平
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一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冉军学;  王晓亮;  李建平;  胡国新;  王军喜;  王翠梅;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李亮;  王欣;  刘宇;  黄亨沛;  谢亮;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王欣;  温继敏;  黄亨沛;  袁海庆;  谢亮;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  谢亮;  王欣;  黄亨沛;  张家宝;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  侯广辉;  温继敏;  黄亨沛;  王欣;  刘宇;  谢亮;  祝宁华
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