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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao, HY;  Yan, FW;  Zhang, Y;  Li, JM;  Zeng, YP;  Wang, GH;  Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hygao@semi.ac.cn
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Improvement of GaN-based light emitting diodes performance grown on sapphire substrates patterned by wet etching - art. no. 684107 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Gao, HY;  Yan, FW;  Zhang, Y;  Li, JM;  Zeng, YP;  Wang, GH;  Yang, FH;  Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, A35 Qinghua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China.
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Pyramidal Patterned Substrate  Ingan/gan  Light-emitting Diode  Wet Etching  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou SQ (Zhou Shengqiang);  Wu MF (Wu M. F.);  Yao SD (Yao S. D.);  Zhang BS (Zhang B. S.);  Yang H (Yang H.);  Zhou, SQ, Forschungszentrum Rossendorf EV, POB 51 01 19, D-01314 Dresden, Germany. E-mail: zhousq2000@yahoo.com;  sdyao@pku.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu MF;  Zhou SQ;  Vantomme A;  Huang Y;  Wang H;  Yang H;  Wu, MF, Peking Univ, Dept Tech Phys, Sch Phys, Beijing 100871, Peoples R China. E-mail: mfwu@publica.bj.cninfo.net
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen Z;  Lu DC;  Wang XH;  Liu XL;  Yuan HR;  Han PD;  Wang D;  Wang ZG;  Li GH;  Lu DC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ng YF;  Cao YG;  Xie MH;  Wang XL;  Tong SY;  Xie MH,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China. 电子邮箱地址: mhxie@hkusua.hku.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu MF;  Chen CC;  Zhu DZ;  Zhou SQ;  Vantomme A;  Langouche G;  Zhang BS;  Yang H;  Wu MF,Peking Univ,Dept Tech Phys,Beijing 100871,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang XG;  Jiang DS;  Bian LF;  Pan Z;  Li LH;  Wu RH;  Liang XG,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:  Yang H;  Zhang SM;  Xu DP;  Li SF;  Zhao DG;  Fu Y;  Sun YP;  Feng ZH;  Zheng LX;  Yang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Natl Res Ctr Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Mocvd  Gan  Ingan  Cubic  Led  Chemical-vapor-deposition  Molecular-beam Epitaxy  Gallium Nitride  Phase Epitaxy  Ingan Films  Electroluminescence  Zincblende  Wurtzite  Mbe  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu ZY;  Liu BL;  Li SF;  Yang H;  Ge WK;  Xu ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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