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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体材料科... [20]
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文献类型
专利 [18]
期刊论文 [2]
发表日期
2015 [1]
2011 [1]
语种
中文 [7]
英语 [2]
出处
Applied Ph... [1]
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
X. Liu
;
X.W. Zhang
;
J.H. Meng
;
Z.G. Yin
;
L.Q. Zhang
;
H.L. Wang
;
J.L. Wu
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浏览/下载:299/2
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提交时间:2016/03/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gao, Y.
;
Zhang, X.W.
;
Yin, Z.G.
;
Si, F.T.
;
Bai, Y.M.
;
Zhang, X.L.
;
Qu, S.
;
Wang, Z.G.
;
Zhang, X. W.(xwzhang@semi.ac.cn)
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浏览/下载:1126/326
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提交时间:2012/06/14
增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394263A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
尹志岗
;
张曙光
;
张兴旺
;
董敬敬
;
高红丽
;
施辉东
Adobe PDF(416Kb)
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浏览/下载:1325/201
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提交时间:2012/09/09
增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394264A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
张兴旺
;
张曙光
;
尹志岗
;
董敬敬
;
高红丽
;
施辉东
Adobe PDF(399Kb)
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浏览/下载:1265/183
  |  
提交时间:2012/09/09
一种增强有机聚合物太阳能电池效率的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394272A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
张兴旺
;
高红丽
;
谭海仁
;
尹志岗
;
吴金良
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浏览/下载:1525/222
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提交时间:2012/09/09
改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130229A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
张曙光
;
张兴旺
;
尹志岗
;
董敬敬
;
游经碧
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浏览/下载:1698/244
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提交时间:2012/09/09
制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102097106A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
高云
;
张兴旺
;
尹志岗
;
屈盛
;
高红丽
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浏览/下载:1431/227
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提交时间:2012/09/09
增强型半导体-金属复合结构磁场传感器及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102520377A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
尹志岗
;
张兴旺
;
吴金良
;
付振
;
张汉
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浏览/下载:1374/202
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提交时间:2012/09/09
制备石墨烯-金属纳米颗粒复合材料的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-10, 2013-04-10
发明人:
张兴旺
;
刘鑫
;
尹志岗
;
高红丽
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浏览/下载:699/86
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提交时间:2014/10/24
在图形化的半导体衬底上制作有序半导体纳米结构的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010140985.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:
陈涌海
;
刘建庆
;
高云
;
徐波
;
张兴旺
;
王占国
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浏览/下载:1193/34
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提交时间:2011/08/31