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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: F.S. Krasniqi; Y. Zhong; S.W. Epp; L. Foucar; M. Trigo; J. Chen; D.A. Reis; H.L. Wang; J.H. Zhao; H.T. Lemke; D. Zhu; M. Chollet; D.M. Fritz; R. Hartmann; L. Englert; L. Strüder; I. Schlichting; J. Ullrich
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 祝梦遥; 鲁军; 马佳淋; 李利霞; 王海龙; 潘东; 赵建华
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 王海龙
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang, H.L.; Yu, X.Z.; Wang, S.L.; Chen, L.; Zhao, J.H.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Deng, J.J.; Che, J.T.; Chen, J.; Wang, W.J.; Hu, B.; Wang, H.L.; Zhao, J.H.
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| InGaAs(Sb)/GaAs异变低维材料长波长激光器 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者: 王海莉
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分子束外延 异变 Ingaas量子阱 Inas量子点 激光器 |
| 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235334.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 牛智川; 倪海桥; 王海莉; 贺继方 ; 朱岩; 李密峰; 王鹏飞; 黄社松; 熊永华
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| 在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人: 贺继方; 尚向军; 倪海桥; 王海莉; 李密峰; 朱岩; 王莉娟; 喻颖; 贺正宏; 徐应强; 牛智川
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| 在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 赵建华; 王思亮; 俞学哲; 王海龙
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| 用于磁学和电学性质同步测量的SQUID密封腔系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人: 赵建华; 王海龙
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