×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研... [90]
作者
谭平恒 [12]
韩培德 [7]
朱汇 [4]
甘华东 [3]
刘剑 [3]
江德生 [2]
更多...
文献类型
期刊论文 [66]
专利 [9]
会议论文 [5]
成果 [1]
发表日期
2010 [1]
2009 [1]
2007 [6]
2006 [8]
2005 [4]
2004 [9]
更多...
语种
英语 [50]
中文 [31]
出处
半导体学报 [9]
CHINESE PH... [7]
APPLIED PH... [6]
JOURNAL OF... [5]
PHYSICAL R... [5]
红外与毫米波学报 [4]
更多...
资助项目
收录类别
SCI [48]
CSCD [18]
CPCI-S [5]
资助机构
Univv Nebr... [3]
国家攀登计划 [3]
国家自然科学基金 [2]
Chinese Ma... [1]
National B... [1]
单位基金,国家自然科... [1]
更多...
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共90条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人:
谈笑天
;
郑厚植
;
刘 剑
;
杨富华
Adobe PDF(316Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1795/274
  |  
提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Tan XT
;
Zheng HZ
;
Liu J
;
Zhu H
;
Xu P
;
Li GR
;
Yang FH
;
Zheng HZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Microstruct & Superlattices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hzzheng@semi.ac.cn
Adobe PDF(263Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1059/243
  |  
提交时间:2010/03/08
变温显微磁光光谱系统
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
谭平恒
;
郑厚植
;
李桂荣
;
章昊
;
姬杨
;
甘华东
;
朱汇
Adobe PDF(636Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1192/173
  |  
提交时间:2009/06/11
光子晶体的自准直光束的分束器与分束方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈海波
;
李兆峰
;
陈建军
;
杨富华
;
封松林
;
郑厚植
Adobe PDF(606Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1366/168
  |  
提交时间:2009/06/11
光电容法确定半导体量子点电荷密度的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李桂荣
;
郑厚植
;
杨富华
Adobe PDF(420Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:989/144
  |  
提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li ZF (Li Zhaofeng)
;
Ozbay E (Ozbay Ekmel)
;
Chen HB (Chen Haibo)
;
Chen JJ (Chen Jianjun)
;
Yang FH (Yang Fuhua)
;
Zheng HZ (Zheng Houzhi)
;
Li, ZF, Bilkent Univ, Dept Phys, Nanotechnol Res Ctr, TR-06800 Ankara, Turkey. 电子邮箱地址: zhaofengli@bilkent.edu.tr
Adobe PDF(593Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:865/222
  |  
提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gan HD
;
Zheng HZ
;
Deng JJ
;
Bi JF
;
Zhu H
;
Ji Y
;
Tan PH
;
Yang FH
;
Zhao JH
;
Gan, HD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hdgan@red.semi.ac.cn
;
hzzheng@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(631Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1315/395
  |  
提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li ZF (Li Zhaofeng)
;
Chen HB (Chen Haibo)
;
Chen JJ (Chen Jianjun)
;
Yang FH (Yang Fuhua)
;
Zheng HZ (Zheng Houzhi)
;
Feng SL (Feng Songlin)
;
Li, ZF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lizhaofeng@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(500Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1077/335
  |  
提交时间:2010/03/29
一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵建华
;
邓加军
;
毕京峰
;
牛智川
;
杨富华
;
吴晓光
;
郑厚植
Adobe PDF(336Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1351/141
  |  
提交时间:2009/06/11
无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵建华
;
蒋春萍
;
郑厚植
;
邓加军
;
杨富华
;
牛智川
Adobe PDF(363Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1297/184
  |  
提交时间:2009/06/11