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中国科学院半导体研究所机构知识库
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang ML
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yang CB
;
Tang J
;
Feng C
;
Jiang LJ
;
Hu GX
;
Ran JX
;
Wang MG
;
Zhang ML Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: mlzhang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1139/347
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提交时间:2010/03/08
一种生长氧化锌薄膜的装置及方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
刘祥林
;
赵凤瑷
;
焦春美
;
董向芸
;
张晓沛
;
范海波
;
魏宏源
;
张攀峰
;
王占国
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浏览/下载:1395/138
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Feng, C
;
Xiao, HL
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, BZ
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Wang, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wxh@mail.semi.ac.cn
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浏览/下载:1186/340
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提交时间:2010/03/08
Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Gas Sensors
Hemt Structures
Mobility
Temperature
Transistors
Growth
Mocvd
Layer
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Feng, C
;
Wang, XL
;
Yang, CB
;
Xiao, HL
;
Zhang, ML
;
Jiang, LJ
;
Tang, J
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Wang, ZG
;
Feng, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cfeng@semi.ac.cn
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浏览/下载:1208/366
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Feng, C
;
Yang, CB
;
Wang, BZ
;
Ran, JX
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Wang, JX
;
Wang, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wxh@mail.semi.ac.cn
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浏览/下载:1570/729
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提交时间:2010/03/08
Hydrogen sensors based on Pt-AlGN/AIN/GaN Schottky diode - art. no. 68291R
会议论文
ADVANCED MATERIALS AND DEVICES FOR SENSING AND IMAGING III, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Wang, XH
;
Wan, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Way, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
;
Wan, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1773/523
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提交时间:2010/03/09
Hydrogen Sensor
Algan/gan Heterostructure
Schottky Diode
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zheng YH (Zheng Yu-Hong)
;
Zhao JH (Zhao Jian-Hua)
;
Bi JF (Bi Jing-Feng)
;
Wang WZ (Wang Wei-Zhu)
;
Ji Y (Ji Yang)
;
Wu XG (Wu Xiao-Guang)
;
Xia JB (Xia Jian-Bai)
;
Zhao, JH, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhzhao@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵建华
;
邓加军
;
毕京峰
;
牛智川
;
杨富华
;
吴晓光
;
郑厚植
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提交时间:2009/06/11
高能电子衍射图像处理系统及方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
孙永伟
;
侯识华
;
宋国峰
;
杨晓杰
;
叶晓军
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提交时间:2009/06/11