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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体材料科学... [3]
中国科学院半导体研究... [1]
半导体集成技术工程研... [1]
作者
刘超 [1]
文献类型
专利 [5]
发表日期
2006 [1]
语种
中文 [2]
出处
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制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘超
;
高兴国
;
李建平
;
曾一平
Adobe PDF(370Kb)
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浏览/下载:1329/176
  |  
提交时间:2009/06/11
一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:
刘胜北
;
何志
;
刘斌
;
刘兴昉
;
杨香
;
樊中朝
;
王晓峰
;
王晓东
;
赵永梅
;
杨富华
;
孙国胜
;
曾一平
Adobe PDF(349Kb)
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收藏
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浏览/下载:737/0
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提交时间:2016/08/30
一种复合膜片压力传感器结构
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224110.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
王晓东
;
樊中朝
;
季安
;
邢波
;
杨富华
Adobe PDF(289Kb)
  |  
收藏
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浏览/下载:1649/210
  |  
提交时间:2011/08/31
一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:
刘胜北
;
何志
;
刘斌
;
杨香
;
刘兴昉
;
张峰
;
王雷
;
田丽欣
;
刘敏
;
申占伟
;
赵万顺
;
樊中朝
;
王晓峰
;
王晓东
;
赵永梅
;
杨富华
;
孙国胜
;
曾一平
Adobe PDF(1167Kb)
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浏览/下载:833/0
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提交时间:2016/09/29
一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:
刘胜北
;
何志
;
刘斌
;
刘兴昉
;
杨香
;
樊中朝
;
王晓峰
;
王晓东
;
赵永梅
;
杨富华
;
孙国胜
;
曾一平
Adobe PDF(568Kb)
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浏览/下载:631/3
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提交时间:2016/09/28