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在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人:  谈笑天;  郑厚植;  刘 剑;  杨富华
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变温显微磁光光谱系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  谭平恒;  郑厚植;  李桂荣;  章昊;  姬杨;  甘华东;  朱汇
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光子晶体的自准直光束的分束器与分束方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈海波;  李兆峰;  陈建军;  杨富华;  封松林;  郑厚植
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光电容法确定半导体量子点电荷密度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李桂荣;  郑厚植;  杨富华
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一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  邓加军;  毕京峰;  牛智川;  杨富华;  吴晓光;  郑厚植
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无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  蒋春萍;  郑厚植;  邓加军;  杨富华;  牛智川
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一种基于半导体光存储器单元的光探测器和光摄像单元 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑厚植;  李桂荣;  杨富华
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单光子探测装置的结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘伟;  杨富华;  曾宇昕;  郑厚植
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  彭红玲;  章昊;  韩勤;  杨晓红;  杜云;  倪海桥;  佟存柱;  牛智川;  郑厚植;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, L;  Zheng, HZ;  Tan, PH;  Zhou, X;  Ji, Y;  Yang, FH;  Li, GR;  Zeng, YX;  Zhu, L, Sichuan Univ, Coll Phys Sci & Technol, Chengdu 610064, Peoples R China. 电子邮箱地址: zl_pin@sohu.com
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