已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Su SJ; Wang W; Zhang GZ; Hu WX; Bai AQ; Xue CL; Zuo YH; Cheng BW; Wang QM; Cheng, BW, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. cbw@red.semi.ac.cn Adobe PDF(650Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1360/300  |  提交时间:2011/07/05 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 陈贵锋; 谭小动; 万尾甜; 沈俊; 郝秋艳; 唐成春; 朱建军; 刘宗顺; 赵德刚; 张书明 Adobe PDF(762Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1284/511  |  提交时间:2012/07/17 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 于晓刚; 苗长云; 李鸿强; 陈弘达; 习江涛; 杨海静; 张诚 Adobe PDF(393Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1014/433  |  提交时间:2012/07/17 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 郭剑川; 左玉华; 张云; 张岭梓; 成步文; 王启明 Adobe PDF(742Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1535/293  |  提交时间:2011/08/16 |
| 一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010183385.1, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 胡炜玄; 成步文; 薛春来; 张广泽; 王启明 Adobe PDF(216Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1417/164  |  提交时间:2011/08/30 |
| 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30 发明人: 苏少坚; 汪巍; 成步文; 王启明; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华 Adobe PDF(307Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1467/110  |  提交时间:2011/08/30 |