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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [22]
作者
段瑞飞 [1]
侯奇峰 [1]
张明兰 [1]
文献类型
期刊论文 [12]
会议论文 [6]
专利 [4]
发表日期
2008 [22]
语种
英语 [14]
中文 [8]
出处
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2008 9TH I... [2]
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发表日期:2008
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
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提交时间升序
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题名升序
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单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
肖红领
;
杨翠柏
;
胡国新
;
冉学军
;
王翠梅
;
张小宾
;
李建平
;
李晋闽
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浏览/下载:1608/246
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提交时间:2009/06/11
生长氮化铟单晶薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
肖红领
;
胡国新
;
杨翠柏
;
冉学军
;
王翠梅
;
张小宾
;
李建平
;
李晋闽
Adobe PDF(480Kb)
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浏览/下载:1560/200
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提交时间:2009/06/11
砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
高宏玲
;
曾一平
;
段瑞飞
;
王宝强
;
朱战平
;
崔利杰
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浏览/下载:1589/178
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提交时间:2009/06/11
半导体激光器热沉管道
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2009-06-04
发明人:
王大拯
;
王翠鸾
;
仲莉
;
韩淋
;
崇峰
;
史慧玲
;
王冠
;
胡理科
;
刘素平
;
马骁宇
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浏览/下载:1565/217
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang, XB
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Yang, CB
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Hou, QF
;
Li, JM
;
Wang, ZG
;
Zhang, XB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xbzhang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1427/423
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提交时间:2010/03/08
Design and Realization of Index-Coupled DFB Laser with Sampled Grating
会议论文
2008 IEEE PHOTONICSGLOBAL@SINGAPORE (IPGC), Singapore, SINGAPORE, DEC 08-11, 2008
作者:
Wang H
;
Zhu HL
;
Chen XF
;
Li JS
;
Wang LS
;
Zhang W
;
Wang W
;
Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1668/372
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提交时间:2010/03/09
Tuning Range
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yang, CB
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Zhang, XB
;
Hua, GX
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Li, JP
;
Li, JM
;
Wang, ZG
;
Yang, CB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Jia 35,Qinghua Dong Rd,POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cbyang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1193/394
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Luo, WJ
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Guo, LC
;
Li, JP
;
Liu, HX
;
Chen, YL
;
Yang, FH
;
Li, JM
;
Luo, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yuntianbb@hotmail.com
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浏览/下载:1292/471
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Tang J
;
Wang XL
;
Chen TS
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Zhang ML
;
Hu GX
;
Feng C
;
Hou QF
;
Wei M
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Tang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1880/433
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提交时间:2010/03/09
Algan/gan Hemts
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang H
;
Zhu HL
;
Jia LH
;
Chen XF
;
Li JS
;
Wang W
;
Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: whuan21@semi.ac.cn
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浏览/下载:841/253
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提交时间:2010/03/08