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一种高质量InN薄膜的获取方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张日清;  康亭亭;  刘祥林
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具有外加磁场的深能级瞬态谱样品台装置及其测量方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  卢励吾;  张砚华;  葛惟昆
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一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
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一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
Adobe PDF(681Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1131/178  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang WC (Zhang Wancheng);  Nishiguchi K (Nishiguchi Katsuhiko);  Ono Y (Ono Yukinori);  Fujiwara A (Fujiwara Akira);  Yamaguchi H (Yamaguchi Hiroshi);  Inokawa H (Inokawa Hiroshi);  Takahashi Y (Takahashi Yasuo);  Wu, NJ (Wu, Nan-Jian);  Zhang, WC, NTT, Basic Res Labs, Atsugi, Kanagawa 2430198, Japan. 电子邮箱地址: knishi50@aecl.ntt.co.jp
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Y (Zhang, Yun);  Silvonen K (Silvonen, Kirnmo);  Zhu NH (Zhu, Ning H.);  Zhang, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(206Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1031/201  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tang YQ;  Shen B;  He XW;  Han K;  Tang N;  Chen WH;  Yang ZJ;  Zhang GY;  Chen YH;  Tang CG;  Wang ZG;  Cho KS;  Chen YF;  Tang, YQ, Peking Univ, Sch Phys, State Key Lab Artificial Microstruct & Mesoscop P, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: bshen@pku.edu.cn;  yhchen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XW (Zhang Xiu-Wen);  Fan WJ (Fan Wei-Jun);  Chang K (Chang Kai);  Li SS (Li Shu-Shen);  Xia JB (Xia Jian-Bai);  Fan, WJ, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址: ewjfan@ntu.edu.sg
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郑婉华;  任刚;  邢名欣;  杜晓宇;  王科;  张冶金;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张雅丽;  张韬;  祝宁华;  刘克;  潘裕斌
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