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碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  马志勇;  冉学军;  王翠敏;  肖红领;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冉军学;  王晓亮;  李建平;  胡国新;  王军喜;  王翠梅;  曾一平
Adobe PDF(449Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1469/197  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin, JS (Jin, Jinshuang);  Welack, S (Welack, Sven);  Luo, JY (Luo, JunYan);  Li, XQ (Li, Xin-Qi);  Cui, P (Cui, Ping);  Xu, RX (Xu, Rui-Xue);  Yan, YJ (Yan, YiJing);  Jin, JS, Hong Kong Univ Sci & Technol, Dept Chem, Kowloon, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: jinjs@ust.hk;  yyan@ust.hk
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