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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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共34条,第1-10条
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发表日期:2006
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
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条数/页:
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75
80
85
90
95
100
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作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
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发表日期降序
提交时间升序
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题名升序
题名降序
在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘力锋
;
陈诺夫
;
尹志岗
;
杨霏
;
柴春林
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浏览/下载:1585/202
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提交时间:2009/06/11
一种基于半导体光存储器单元的光探测器和光摄像单元
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
郑厚植
;
李桂荣
;
杨富华
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浏览/下载:1431/165
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提交时间:2009/06/11
对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
黄应龙
;
杨富华
;
王良臣
;
姜磊
;
白云霞
;
王莉
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浏览/下载:1430/204
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提交时间:2009/06/11
能引出低熔点金属离子的冷阴极潘宁离子源
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
徐嘉东
;
李建明
;
杨占坤
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浏览/下载:1066/176
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提交时间:2009/06/11
倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李丙乾
;
张书明
;
杨辉
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浏览/下载:1001/134
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提交时间:2009/06/11
一种制备三元高K栅介质材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李艳丽
;
陈诺夫
;
刘立峰
;
尹志刚
;
杨菲
;
柴春林
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浏览/下载:1187/169
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提交时间:2009/06/11
单相钆硅化合物以及制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李艳丽
;
陈诺夫
;
杨少延
;
刘志凯
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浏览/下载:1138/151
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen HB
;
Li ZF
;
Wei L
;
Yang FH
;
Feng SL
;
Zheng HH
;
Chen, HB, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: hbchen@semi.ac.cn
;
fhyang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1380/384
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen YY (Chen Yuan-Yuan)
;
Li YP (Li Yan-Ping)
;
Sun F (Sun Fei)
;
Yang D (Yang Di)
;
Chen SW (Chen Shao-Wu)
;
Yu JZ (Yu Jin-Zhong)
;
Chen, YY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: chyy@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:884/218
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao, DG (Zhao, D. G.)
;
Liu, ZS (Liu, Z. S.)
;
Zhu, JJ (Zhu, J. J.)
;
Zhang, SM (Zhang, S. M.)
;
Jiang, DS (Jiang, D. S.)
;
Yang, H (Yang, Hui)
;
Liang, JW (Liang, J. W.)
;
Li, XY (Li, X. Y.)
;
Gong, HM (Gong, H. M.)
;
Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1202/412
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提交时间:2010/03/29