单相钆硅化合物以及制备方法
李艳丽; 陈诺夫; 杨少延; 刘志凯
2006-05-10
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2004-11-03
语种中文
申请号200410088508
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3469
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
李艳丽,陈诺夫,杨少延,等. 单相钆硅化合物以及制备方法[P]. 2006-05-10.
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