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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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发表日期:2003
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40
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磁性p-n结薄膜材料及制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周剑平
;
陈诺夫
;
张富强
;
刘志凯
;
杨少延
;
柴春林
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浏览/下载:1351/161
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提交时间:2009/06/11
键合强度可调节的柔性衬底
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张志成
;
杨少延
;
黎大兵
;
陈涌海
;
王占国
Adobe PDF(306Kb)
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浏览/下载:1348/177
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提交时间:2009/06/11
组份渐变铁磁性半导体制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈诺夫
;
张富强
;
杨君玲
;
刘志凯
;
杨少延
;
柴春林
Adobe PDF(263Kb)
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浏览/下载:1332/157
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提交时间:2009/06/11
半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨君玲
;
陈诺夫
;
何家宏
;
钟兴儒
;
吴金良
;
林兰英
;
刘志凯
;
杨少延
;
柴春林
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浏览/下载:1373/185
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen J
;
Zhang SM
;
Zhang BS
;
Zhu JJ
;
Feng G
;
Duan LH
;
Wang YT
;
Yang H
;
Zheng WC
;
Chen J,Sichuan Univ,Dept Mat Sci,Chengdu 610064,Peoples R China.
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浏览/下载:1574/630
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang ZC
;
Chen YH
;
Yang SY
;
Zhang FQ
;
Ma BS
;
Xu B
;
Zeng YP
;
Wang ZG
;
Zhang XP
;
Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1350/418
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提交时间:2010/08/12
Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth
会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Zhang ZC
;
Ren BY
;
Chen YH
;
Yang SY
;
Wang ZG
;
Zhang ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1454/254
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提交时间:2010/11/15
Czochralski Method
Growth From Melt
Semiconductor Silicon
Argon Gas Flow
Computer Simulation
Oxygen Content
Furnace Pressure
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou JP
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Song SL
;
Chen NF
;
Lin LY
;
Zhou JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1195/387
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang ZC
;
Chen YH
;
Li DB
;
Zhang FQ
;
Yang SY
;
Ma BS
;
Sun GS
;
Wang ZG
;
Zhang XP
;
Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Lab Semicond Mat Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1154/371
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang BS
;
Wu M
;
Shen XM
;
Chen J
;
Zhu JJ
;
Liu JP
;
Feng G
;
Zhao DG
;
Wang YT
;
Yang H
;
Zhang BS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:2048/868
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提交时间:2010/08/12