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| 在蓝宝石衬底上二次生长高质量ZnO单晶厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人: 何金孝
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| 利用p型掺杂的硅衬底生长高结晶质量氧化锌纳米棒的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人: 蔡芳芳; 范海波; 张攀峰; 刘祥林
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| 在蓝宝石衬底上二次生长高质量ZnO单晶厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人: 何金孝; 段 尭; 曾一平; 王晓峰
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| 一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-02, 公开日期: 4005
发明人: 魏同波
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| InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人: 戴扬
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| 在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人: 王晓亮; 罗卫军; 郭伦春; 肖红领; 李建平; 李晋闽
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| 由绝缘衬底上超薄六方相碳化硅膜外延石墨烯的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-29, 公开日期: 4002
发明人: 刘兴昉
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| 在锑化镓衬底上生长InAsxSb1-x薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
发明人: 高福宝; 陈诺夫; 吴金良; 刘 磊
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| SOI衬底CMOS工艺电光调制器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 3998
发明人: 陈弘达; 黄北举; 董 赞
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| 图形衬底上生长碳化硅厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人: 赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉; 王 亮; 王 雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平
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