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| 采用衬底表面粗化技术的倒装结构发光二极管制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王良臣; 伊晓燕; 刘志强 Adobe PDF(698Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1324/171  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国 Adobe PDF(924Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1326/171  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国 Adobe PDF(931Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1382/176  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 杨霏; 李成明; 范海波; 陈涌海; 刘志凯; 王占国 Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1414/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国 Adobe PDF(1043Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1185/158  |  提交时间:2009/06/11 |
| 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 马志勇; 冉学军; 王翠敏; 肖红领; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(724Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1627/233  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王启元; 王俊; 王建华 Adobe PDF(342Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1175/183  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘喆; 李晋闽; 王军喜; 王晓亮; 王启元; 刘宏新; 王俊; 曾一平 Adobe PDF(429Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1378/227  |  提交时间:2009/06/11 |
| 磁控溅射仪衬底固定夹具 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王鹏; 陈诺夫; 尹志岗; 杨霏 Adobe PDF(452Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1191/153  |  提交时间:2009/06/11 |
| 偏镓砷(100)衬底双模尺寸分布铟砷量子点及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 梁松; 朱洪亮 Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1120/162  |  提交时间:2009/06/11 |