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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB (Wei T. B.);  Hu Q (Hu Q.);  Duan RF (Duan R. F.);  Wei XC (Wei X. C.);  Yang JK (Yang J. K.);  Wang JX (Wang J. X.);  Zeng YP (Zeng Y. P.);  Wang GH (Wang G. H.);  Li JM (Li J. M.);  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@semi.ac.cn
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在含镓氮化物上生长石墨烯薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014
发明人:  赵云;  王刚;  孙连峰;  魏同波;  段瑞飞;  伊晓燕;  李晋闽
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一种在石墨烯薄膜上剥离外延材料的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-02
发明人:  赵云;  王钢;  魏同波;  段瑞飞;  孙连峰;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(258Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：513/2  |  提交时间：2016/09/02