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发光二极管封装结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102255034A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  杨华;  卢鹏志;  谢海忠;  于飞;  郑怀文;  薛斌;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
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具有可调输出光色的发光二极管模组的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-11-27
发明人:  薛斌;  谢海忠;  卢鹏志;  于飞;  杨华;  李璟;  伊晓燕;  王军喜;  李晋闽
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一种发光二极管阵列的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-25
发明人:  薛斌;  杨华;  卢鹏志;  于飞;  谢海忠;  李璟;  伊晓燕;  王军喜;  李晋闽
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全彩发光二极管模组的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人:  薛斌;  卢鹏志;  谢海忠;  于飞;  杨华;  李璟;  伊晓燕;  王军喜;  李晋闽
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芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  谢海忠;  张连;  宋昌斌;  姚然;  薛斌;  杨华;  李璟;  伊晓燕;  王军喜;  李晋闽
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高光功率密度LED光源模块 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-06, 2013-03-06
发明人:  卢鹏志;  杨华;  郑怀文;  谢海忠;  薛斌;  于飞;  伊晓燕;  王国宏;  王军喜;  李晋闽
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晶圆级发光二极管阵列结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15
发明人:  杨华;  薛斌;  于飞;  谢海忠;  卢鹏志;  李璟;  伊晓燕;  王军喜;  李晋闽
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制备原位级发光二极管阵列结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15
发明人:  杨华;  薛斌;  谢海忠;  卢鹏志;  伊晓燕;  王军喜;  李晋闽
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一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  刘兴昉;  杨香;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
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一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  杨香;  刘兴昉;  张峰;  王雷;  田丽欣;  刘敏;  申占伟;  赵万顺;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
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