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| 用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李宝霞; 张靖; 杨华; 王圩 Adobe PDF(469Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1254/190  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵建华; 邓加军; 毕京峰; 牛智川; 杨富华; 吴晓光; 郑厚植 Adobe PDF(336Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1343/141  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种减小霍尔器件失调电压的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郑一阳; 韩海; 景士平; 梁平 Adobe PDF(196Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1184/126  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种提高霍尔器件抗静电击穿能力的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郑一阳; 韩海; 景士平; 梁平 Adobe PDF(181Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1187/136  |  提交时间:2009/06/11 |
| 高线性度砷化镓霍尔器件的制备工艺 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郑一阳; 韩海; 景士平; 梁平 Adobe PDF(221Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1170/125  |  提交时间:2009/06/11 |
| 磷化铟单晶片的抛光工艺 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 董宏伟; 赵有文; 杨子祥; 焦景华 Adobe PDF(283Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1577/226  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种平面微腔增强型探测器及其使用方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2001-10-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郑厚植; 杨富华; 赵建华; 曾一平; 陈京好; 谭平恒 Adobe PDF(341Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1234/197  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102244159A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 郑怀文; 张逸韵; 吴奎; 杨华; 李璟 Adobe PDF(327Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1537/231  |  提交时间:2012/09/09 |
| 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李璟; 王国宏; 魏同波; 张杨; 孔庆峰 Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2056/350  |  提交时间:2012/09/09 |
| 制备Mn掺杂InP:Zn基稀磁半导体的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102108483A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-06-29, 2012-08-29 发明人: 杨冠东; 朱峰; 李京波 Adobe PDF(294Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1396/229  |  提交时间:2012/08/29 |