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基于GaAs(001)衬底的CdTe缓冲层和HgTe多层膜的分子束外延生长及其运输行为 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  余之峰
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垂直易磁化偏学计量比Co2MnAl薄膜磁性及输运行为 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  余之峰
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在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人:  贺继方;  尚向军;  倪海桥;  王海莉;  李密峰;  朱岩;  王莉娟;  喻颖;  贺正宏;  徐应强;  牛智川
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