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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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发表日期:2006
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光子微结构GaN基蓝光发光二极管的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
许兴胜
;
陈弘达
Adobe PDF(709Kb)
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浏览/下载:1236/184
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提交时间:2009/06/11
脊形波导与二维光子晶体相结合的硅基拉曼激光器结构
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
许兴胜
;
王春霞
;
陈弘达
Adobe PDF(626Kb)
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收藏
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浏览/下载:1221/158
  |  
提交时间:2009/06/11
光子晶体结构GaN基蓝光发光二极管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
许兴胜
;
陈弘达
;
马勇
Adobe PDF(746Kb)
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浏览/下载:1024/134
  |  
提交时间:2009/06/11
光子晶体波导分布反馈激光器及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵致民
;
许兴胜
;
陈弘达
;
李芳
;
刘育梁
Adobe PDF(635Kb)
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浏览/下载:1032/147
  |  
提交时间:2009/06/11
全角度反射镜结构GaN基发光二极管及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
许兴胜
;
杜伟
;
陈弘达
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浏览/下载:1160/201
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提交时间:2009/06/11
在解理面上制作半导体纳米结构的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈涌海
;
张春玲
;
崔草香
;
徐波
;
金鹏
;
刘峰奇
;
王占国
Adobe PDF(467Kb)
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浏览/下载:1325/186
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cui CX
;
Chen YH
;
Jin P
;
Xu B
;
Ren YY
;
Zhao C
;
Wang ZG
;
Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yhchen@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:948/261
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu XS (Xu Xing-Sheng)
;
Chen HD (Chen Hong-Da)
;
Xu, XS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xsxu@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:687/195
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提交时间:2010/04/11
Lateral intersubband photocurrent study on InAs/InAlas/InP self-assembled nanostructures
会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:
Lei W
;
Chen YH
;
Jin P
;
Xu B
;
Ye XL
;
Wang ZG
;
Huang XQ
;
Lei, W, Acad Sinica, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(340Kb)
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浏览/下载:1525/261
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提交时间:2010/03/29
Lateral Intersubband Photocurrent
Monte Carlo simulation of the modulated effect induced by the dislocation to the quantum dot growth
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Zhao C
;
Chen YH
;
Zhao M
;
Zhang CL
;
Xu B
;
Yu LK
;
Sun J
;
Lei W
;
Wang ZG
;
Zhao, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: czhao@semi.ac.cn
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浏览/下载:1784/335
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提交时间:2010/03/29
Monte Carlo Simulation