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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [6]
作者
文献类型
会议论文 [6]
发表日期
2003 [1]
1999 [2]
1998 [3]
语种
英语 [6]
出处
LUMINESCEN... [2]
ELECTRON M... [1]
GAN AND RE... [1]
HYDROGEN I... [1]
POWER SEMI... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [6]
资助机构
Mat Res So... [6]
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SEMI OpenIR
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资助机构:Mat Res Soc.
文献类型:会议论文
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High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE
会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS-2002, 743, BOSTON, MA, DEC 02-06, 2002
作者:
Wang JX
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Hu GX
;
Liu HX
;
Lin LY
;
Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1847/427
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提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Ion-scattering Spectroscopy
Lattice Polarity
Single-crystals
Films
Polarization
Gan(0001)
Surfaces
Growth
Diodes
The influence of oxygen content on photoluminescence from Er-doped SiOx
会议论文
LUMINESCENT MATERIALS, 560, SAN FRANCISCO, CA, APR 05-08, 1999
作者:
Chen WD
;
Liang JJ
;
Hsu CC
;
Chen WD Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:897/0
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提交时间:2010/10/29
High temperature annealing behaviors of luminescent SIOx : H films
会议论文
LUMINESCENT MATERIALS, 560, SAN FRANCISCO, CA, APR 05-08, 1999
作者:
Ma ZX
;
Xiang XB
;
Sheng SR
;
Liao XB
;
Shao CL
;
Umeno M
;
Ma ZX Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1054/0
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提交时间:2010/10/29
Raman-spectra
Silicon
Photoluminescence
Influence of open-tube Ga diffusion on the characteristics for thyristor
会议论文
POWER SEMICONDUCTOR MATERIALS AND DEVICES, 483, BOSTON, MA, DEC 01-04, 1997
作者:
Wen RM
;
Pei SH
;
Wen RM Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(210Kb)
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浏览/下载:1260/325
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提交时间:2010/10/29
The role of hydrogen in semi-insulating INP
会议论文
HYDROGEN IN SEMICONDUCTORS AND METALS, 513, SAN FRANCISCO, CA, APR 13-17, 1998
作者:
Han YJ
;
Liu XL
;
Jiao JH
;
Qian JJ
;
Chen YH
;
Wang ZG
;
Lin LY
;
Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1134/0
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提交时间:2010/10/29
Dislocations in InAs epilayers grown by MBE on GaAs substrates under various conditions
会议论文
ELECTRON MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS AND ULSI DEVICES, 523, SAN FRANCISCO, CA, APR 15-16, 1998
作者:
Wang HM
;
Zeng YP
;
Pan L
;
Zhou HW
;
Zhu ZP
;
Kong MY
;
Wang HM Chinese Acad Sci Inst Semicond Div Novel Mat POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29