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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tang CG;  Chen YH;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Chen YH Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yhchen@red.semi.ac.cn
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Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Gyeongju, SOUTH KOREA, MAY 11-16, 2008
作者:  Zhao C;  Chen YH;  Xu B;  Tang CG;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu Wanglai;  Xu Bo;  Liang Ping;  Hu Ying;  Sun Hong;  Lü Xueqin;  Wang Zhanguo
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZC;  Xu B;  Chen YH;  Shi LW;  Liang ZM;  Wang ZG;  Wang, ZG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangzc@semi.ac.cn
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Evolution of wetting layers in InAs/GaAs quantum-dot system studied by reflectance difference spectroscopy 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Chen YH;  Tang CH;  Xu B;  Jin P;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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Inas  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao C;  Chen YH;  Xu B;  Jin P;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lei W;  Wang YL;  Chen YH;  Jin P;  Ye XL;  Xu B;  Wang ZG;  Lei, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wen.lei@uni-due.de
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui CX;  Chen YH;  Jin P;  Xu B;  Ren YY;  Zhao C;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yhchen@red.semi.ac.cn
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Lateral intersubband photocurrent study on InAs/InAlas/InP self-assembled nanostructures 会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:  Lei W;  Chen YH;  Jin P;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Huang XQ;  Lei, W, Acad Sinica, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Lateral Intersubband Photocurrent  
Monte Carlo simulation of the modulated effect induced by the dislocation to the quantum dot growth 会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:  Zhao C;  Chen YH;  Zhao M;  Zhang CL;  Xu B;  Yu LK;  Sun J;  Lei W;  Wang ZG;  Zhao, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: czhao@semi.ac.cn
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Monte Carlo Simulation