中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共23条，第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin, L;  Zhou, HY;  Qu, SC;  Wang, ZG;  Jin, L (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912,A 35,Tsinghua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China,jinlan06@semi.ac.cn;  qsc@semi.ac.cn
Adobe PDF(861Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：983/240  |  提交时间：2012/02/06
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kong LM (Kong Lingmin);  Cai JF (Cai Jiafa);  Wu ZY (Wu Zhengyun);  Gong Z (Gong Zheng);  Fang ZD (Fang Zhidan);  Niu ZC (Niu Zhichuan);  Wu, ZY, Xiamen Univ, Dept Phys, Xiamen 361005, Peoples R China. E-mail: konglm0592@yahoo.com;  zhywu@xmu.edu.cn
Adobe PDF(190Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1147/373  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang S;  Zhu HL;  Pan JQ;  Ye XL;  Wang W;  Liang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: liangsong@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(399Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：927/293  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Duan RF;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Zeng Y;  Duan RF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Dept,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(182Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1165/354  |  提交时间：2010/08/12
Photoluminescence characterization of 1.3 mu m In(Ga)As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy 会议论文
PROCEEDINGS OF THE 10TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NARROW GAP SEMICONDUCTORS AND RELATED SMALL ENERGY PHENOMENA, PHYSICS AND APPLICATIONS, 2, KANAZAWA, JAPAN, MAY 27-31, 2001
作者:  Niu ZC;  Wang XD;  Miao ZH;  Lan Q;  Kong YC;  Zhou DY;  Feng SL;  Niu ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
收藏  |  浏览/下载：1470/0  |  提交时间：2010/10/29
Molecular Beam Epitaxy  Ingaas Islands  Photolumineseence  Line-width  1.3 Mu-m  Inas/gaas Quantum Dots  Optical-properties  Cap Layer  Gaas  Luminescence  Strain  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li YF;  Wang JZ;  Ye XL;  Xu B;  Liu FQ;  Ding D;  Zhang JF;  Wang ZG;  Li YF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(143Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：913/277  |  提交时间：2010/08/12
Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Jiang WH;  Xu HZ;  Xu B;  Ye XL;  Zhou W;  Ding D;  Liang JB;  Wang ZG;  Jiang WH Chinese Acad Sci Inst Semicond Inst Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(320Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1550/285  |  提交时间：2010/11/15
Quantum Dots  High Index  Molecular Beam Epitaxy  Photoluminescence  Surface Segregation  Oriented Gaas  Ingaas  Islands  Wells  Disks  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhuang QD;  Li JM;  Wang XX;  Zeng YP;  Wang YT;  Wang BQ;  Pan L;  Wu J;  Kong MY;  Lin LY;  Zhuang QD,Nanyang Technol Univ,Sch EEE,Nanyang Ave,Singapore 639798,Singapore.
Adobe PDF(167Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1142/304  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun S;  Wu J;  Liu FQ;  Zu HZ;  Chen YH;  Ye XL;  Jiang WH;  Xu B;  Wang ZG;  Sun S,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(152Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：848/247  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan D;  Towe E;  Kennerly S;  Kong MY;  Pan D,Univ Virginia,Lab Opt & Quantum Elect,Charlottesville,VA 22903 USA.
Adobe PDF(46Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：942/371  |  提交时间：2010/08/12