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Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  孔祥挺
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Ingaas沟道  高迁移率  Mosfet  Ge/si衬底  
硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  刘广政
Adobe PDF(6805Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2050/100  |  提交时间：2016/06/03
Gaas/si  Gaas/ge  两步法  四步法  量子点  激光器  
硅基锗材料的异质外延及高效发光器件研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  何超
Adobe PDF(7728Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1133/54  |  提交时间：2016/06/02
Si 基发光器件  Ge/si 量子点  Ge/sige 量子阱  Ge 薄膜  
快速熔融法制备Si基Ge-on-insulator结构基础研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  温娟娟
Adobe PDF(8079Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1111/45  |  提交时间：2015/06/01
Goi  Rmg  光致发光  晶格旋转  Si-ge互扩散  
无权访问的条目 学位论文
作者:  李冲
Adobe PDF(6685Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：900/62  |  提交时间：2014/06/03
硅基垂直纳米线结构热电器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:  王珍
Adobe PDF(4272Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1044/31  |  提交时间：2014/05/29
Si纳米线  Si-ge核壳结构纳米线  热电优值  塞贝克系数  热导率  
无权访问的条目 学位论文
作者:  周旭亮
Adobe PDF(10427Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：913/108  |  提交时间：2014/05/28
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu Z (Liu, Zhi);  Hu WX (Hu, Weixuan);  Li C (Li, Chong);  Li YM (Li, Yaming);  Xue CL (Xue, Chunlai);  Li CB (Li, Chuanbo);  Zuo YH (Zuo, Yuhua);  Cheng BW (Cheng, Buwen);  Wang QM (Wang, Qiming)
Adobe PDF(1078Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1247/322  |  提交时间：2013/03/20
无权访问的条目 期刊论文
作者:  He JF;  Niu ZC;  Chang XY;  Ni HQ;  Zhu Y;  Li MF;  Shang XJ;  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. zcniu@semi.ac.cn
Adobe PDF(6475Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1411/319  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Su SJ;  Wang W;  Zhang GZ;  Hu WX;  Bai AQ;  Xue CL;  Zuo YH;  Cheng BW;  Wang QM;  Cheng, BW, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. cbw@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(650Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1360/300  |  提交时间：2011/07/05