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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang GD;  Zhu F;  Dong S;  Yang, GD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. guandongyang@gmail.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hou QF;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Yang CB;  Yin HB;  Li JM;  Wang ZG;  Hou, QF, Chinese Acad Sci, Ctr Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. qfhou@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, Yu;  Wang, Guowei;  Tang, Bao;  Xu, Yingqiang;  Xu, Yun;  Song, Guofeng;  Xu, Y.(xuyun@semi.ac.cn)
Adobe PDF(1570Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:887/137  |  提交时间:2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  He, Jifang;  Shang, Xiangjun;  Li, Mifeng;  Zhu, Yan;  Chang, Xiuying;  Ni, Haiqiao;  Xu, Yingqiang;  Niu, Zhichuan;  He, J.(hejifang@semi.ac.cn)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, JQ;  Huang, J;  Gong, XJ;  Wang, JF;  Xu, K;  Qiu, YX;  Cai, DM;  Zhou, TF;  Ren, GQ;  Yang, H;  Xu, K (reprint author), Chinese Acad Sci, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Suzhou 215123, Peoples R China,kxu2006@sinano.ac.cn
Adobe PDF(612Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1114/366  |  提交时间:2012/02/06
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu PF (Xu P. F.);  Nie SH (Nie S. H.);  Meng KK (Meng K. K.);  Wang SL (Wang S. L.);  Chen L (Chen L.);  Zhao JH (Zhao J. H.)
Adobe PDF(600Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1092/277  |  提交时间:2010/09/07
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Q (Zhang Q.);  Wang XQ (Wang X. Q.);  Yin CM (Yin C. M.);  Xu FJ (Xu F. J.);  Tang N (Tang N.);  Shen B (Shen B.);  Chen YH (Chen Y. H.);  Chang K (Chang K.);  Ge WK (Ge W. K.);  Ishitani Y (Ishitani Y.);  Yoshikawa A (Yoshikawa A.)
Adobe PDF(394Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:979/258  |  提交时间:2010/09/07
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu J;  Meng HJ;  Deng JJ;  Xu PF;  Chen L;  Zhao JH;  Jia QJ;  Zhao JH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jhzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen YH;  Li C;  Zhou ZW;  Lai HK;  Chen SY;  Ding WC;  Cheng BW;  Yu YD;  Li C Xiamen Univ Dept Phys Semicond Photon Res Ctr Xiamen 361005 Peoples R China. E-mail Address: lich@xmu.edu.cn
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Micro-raman investigation of defects in a 4H-SiC homoepilayer 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:  Liu, XF (Liu, X. F.);  Sun, GS (Sun, G. S.);  Li, JM (Li, J. M.);  Zhao, YM (Zhao, Y. M.);  Li, JY (Li, J. Y.);  Wang, L (Wang, L.);  Zhao, WS (Zhao, W. S.);  Luo, MC (Luo, M. C.);  Zeng, YP (Zeng, Y. P.);  Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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Micro-raman  4h-sic  Defects  3c-inclusions  Triangle-shaped Inclusion  Epitaxial Layers  Silicon-carbide