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Epitaxial growth of GaNAs/GaAs heterostructure materials 会议论文
THIN SOLID FILMS, 368 (2), SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 10-13, 1999
作者:  Lin YW;  Pan Z;  Li LH;  Zhou ZQ;  Wang H;  Zhang W;  Lin YW Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Ganas  Dc Active N-2 Plasma  Molecular Beam Epitaxy  Nitrogen Content  Fourier Transform Infrared Spectroscopy Of Intensity  Band-gap Energy  Gaas1-xnx  Nitrogen  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lin YW;  Pan Z;  Li LH;  Zhou ZQ;  Wang H;  Zhang W;  Lin YW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(195Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：934/328  |  提交时间：2010/08/12