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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, J;  Liu, LH;  Liu, ST;  Yu, P;  Zheng, ZR;  Shafa, M;  Zhou, ZH;  Li, HD;  Ji, HN;  Wang, ZMM
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yuan, HC;  Nie, SH;  Ma, TP;  Zhang, Z;  Zheng, Z;  Chen, ZH;  Wu, YZ;  Zhao, JH;  Zhao, HB;  Chen, LY
Adobe PDF(1742Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:398/66  |  提交时间:2015/04/02
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng J (Zheng, Jun);  Tao YL (Tao, Yeliao);  Wang W (Wang, Wei);  Ma ZH (Ma, Zhihua);  Zuo YH (Zuo, Yuhua);  Cheng BW (Cheng, Buwen);  Wang QM (Wang, Qiming)
Adobe PDF(562Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:801/183  |  提交时间:2013/04/02
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng, J;  Tao, YL;  Wang, W;  Ma, ZH;  Zuo, YH;  Cheng, BW;  Wang, QM
Adobe PDF(562Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1224/329  |  提交时间:2013/02/04
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma, ZH;  Cao, Q;  Zuo, YH;  Zheng, J;  Xue, CL;  Cheng, BW;  Wang, QM;  Zuo, YH (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China,yhzuo@semi.ac.cn
Adobe PDF(617Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:758/132  |  提交时间:2012/02/06
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang GW (Wang Guo-Wei);  Xu YQ (Xu Ying-Qiang);  Guo J (Guo Jie);  Tang B (Tang Bao);  Ren ZW (Ren Zheng-Wei);  He ZH (He Zhen-Hong);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Wang, GW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangguowei@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙彦;  彭红玲;  任正伟;  贺振宏
Adobe PDF(386Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1031/340  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  牛智红;  任正伟;  贺振宏
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Corrugated surfaces formed on GaAs (331)a substrates: The template for laterally ordered InGaAs nanowires 会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:  Miao, ZH (Miao, Zhenhua);  Gong, Z (Gong, Zheng);  Fang, ZD (Fang, Zhidan);  Niu, ZC (Niu, Zhichuan);  Gong, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattice & Microstruct, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Atomic Hydrogen  Molecular Beam Epitaxy  Step Arrays  Molecular-beam Epitaxy  Atomic-hydrogen  Vicinal Surface  Quantum Dots  Growth  Temperature  Irradiation  Mechanism  Mbe  
高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐晓华;  倪海桥;  牛智川;  贺正宏;  王建林
Adobe PDF(425Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1483/175  |  提交时间:2009/06/11