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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Zhang ZC
;
Chen YH
;
Yang SY
;
Zhang FQ
;
Ma BS
;
Xu B
;
Zeng YP
;
Wang ZG
;
Zhang XP
;
Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth
会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Zhang ZC
;
Ren BY
;
Chen YH
;
Yang SY
;
Wang ZG
;
Zhang ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Czochralski Method
Growth From Melt
Semiconductor Silicon
Argon Gas Flow
Computer Simulation
Oxygen Content
Furnace Pressure
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang ZC
;
Chen YH
;
Li DB
;
Zhang FQ
;
Yang SY
;
Ma BS
;
Sun GS
;
Wang ZG
;
Zhang XP
;
Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Lab Semicond Mat Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
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期刊论文
作者:
Zhang ZC
;
Yang SY
;
Zhang FQ
;
Xu B
;
Zeng YP
;
Chen YH
;
Wang ZG
;
Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
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期刊论文
作者:
Zhang ZC
;
Ren BY
;
Chen YH
;
Yang SY
;
Wang ZG
;
Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang ZC
;
Yang SY
;
Zhang FQ
;
Xu B
;
Zeng YP
;
Chen YH
;
Wang ZG
;
Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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期刊论文
作者:
Zhang ZC
;
Yang SY
;
Zhang FQ
;
Li DB
;
Chen YH
;
Wang ZG
;
Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12