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中国科学院半导体研究所机构知识库
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作者:
李冠鹏
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张邦宏
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杨惠霞
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谢亮
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期刊论文
作者:
Gao, HX
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Lu, J
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Zhao, JH
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Zhang, XH
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期刊论文
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Wang, ZG
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Lu, Y
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期刊论文
作者:
Yue, H
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Chen, L
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Gao, HX
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Zhao, JH
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Zhang, XH
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期刊论文
作者:
Gao, HX
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Lu, J
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Zhao, JH
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Zhang, XH
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期刊论文
作者:
Zhang, YH
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Wei, TB
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Wang, JX
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Lan, D
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Chen, Y
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Lu, HX
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Li, JM
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期刊论文
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Wei TB
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Zheng HY
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Lu HX
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Chen Y
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Wang JX
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Luo Y
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Li JM
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提交时间:2014/04/09
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期刊论文
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提交时间:2013/03/26
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期刊论文
作者:
Zhang, L
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Wei, XC
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Liu, NX
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Lu, HX
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Zeng, JP
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Wang, JX
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Zeng, YP
;
Li, JM
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Zhang, L (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China,zhanglian07@semi.ac.cn
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提交时间:2012/02/06
一种氮化物薄膜外延生长的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人:
闫发旺
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高海永
;
张 扬
;
张会肖
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李晋闽
;
曾一平
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王国宏
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提交时间:2010/03/19