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中国科学院半导体研究所机构知识库
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锆基过渡金属硫族化合物的制备及其光电性质研究
学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:
田琰
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提交时间:2022/07/26
锆基过渡金属硫族化合物的制备及其光电性质研究
学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:
田琰
Adobe PDF(7278Kb)
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提交时间:2022/07/25
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期刊论文
作者:
Zanyun Zhang
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Xia Chen
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Qian Cheng
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Ali Z. Khokhar
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Zan Zhang
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Xingzhao Yan
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Beiju Huang
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Hongda Chen
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Hongwei Liu
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Hongqiang Li
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David J. Thomson
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Graham T. Reed
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提交时间:2021/06/28
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期刊论文
作者:
G.G. Yan
;
Y.W. He
;
Z.W. Shen
;
Y.X. Cui
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J.T. Li
;
W.S. Zhao
;
L. Wang
;
X.F. Liu
;
F. Zhang
;
G.S. Sun
;
Y.P. Zeng
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期刊论文
作者:
G.G. Yan
;
X.F. Liu
;
Z.W. Shen
;
W.S. Zhao
;
L. Wang
;
Y.X. Cui
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J.T. Li
;
F. Zhang
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G.S. Sun
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Y.P. Zeng
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提交时间:2020/07/31
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L. Zhang
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D.G. Xu
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D.X. Zhang
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X.Y. Wang
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R.K. Li
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C.T. Chen
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提交时间:2019/11/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
谭晓宇
;
杨少延
;
李辉杰
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提交时间:2018/05/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
N. Jia
;
H. T. Yan
;
M. Li
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提交时间:2017/03/10
二维晶体材料二硒化钨的激子与谷动力学研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:
闫腾飞
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提交时间:2015/06/02
二维过渡金属硫族化合物
激子
谷动力学
光致发光
时间分辨克尔旋转
GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:
陶东言
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提交时间:2015/05/29
稀磁半导体
Gan
Gasb
表面钝化
肖特基器件