| GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究 | |
| 陶东言 | |
| 学位类型 | 博士 |
| 导师 | 赵有文 |
| 2015-05-27 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 材料物理与化学 |
| 关键词 | 稀磁半导体 Gan Gasb 表面钝化 肖特基器件 |
| 公开日期 | 2015-05-29 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26500 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陶东言. GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2015. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 博士毕业论文——GaN和GaSb基稀磁半（5924KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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