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低偏角碳化硅同质/异质外延生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者:  闫果果
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, SB;  He, Z;  Zheng, L;  Liu, B;  Zhang, F;  Dong, L;  Tian, LX;  Shen, ZW;  Wang, JZ;  Huang, YJ;  Fan, ZC;  Liu, XF;  Yan, GG;  Zhao, WS;  Wang, L;  Sun, GS;  Yang, FH;  Zeng, YP
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong, L;  Sun, GS;  Zheng, L;  Liu, XF;  Zhang, F;  Yan, GG;  Zhao, WS;  Wang, L;  Li, XG;  Wang, ZG
Adobe PDF(654Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:902/260  |  提交时间:2013/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong, L;  Sun, GS;  Zheng, L;  Liu, XF;  Zhang, F;  Yan, GG;  Zhao, WS;  Wang, L;  Li, XG;  Wang, ZG
Adobe PDF(189Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1041/336  |  提交时间:2013/02/07
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang F (Zhang Feng);  Sun GS (Sun Guosheng);  Huang HL (Huang Huolin);  Wu ZY (Wu Zhengyun);  Wang L (Wang Lei);  Zhao WS (Zhao Wanshun);  Liu XF (Liu Xingfang);  Yan GG (Yan Guoguo);  Zheng L (Zheng Liu);  Dong L (Dong Lin);  Zeng YP (Zeng Yiping)
Adobe PDF(224Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:902/260  |  提交时间:2012/02/22
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun GS;  Liu XF;  Wu HL;  Yan GG;  Dong L;  Zheng L;  Zhao WS;  Wang L;  Zeng YP;  Li XG;  Wang ZG;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. gshsun@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun GS (Sun Guo-Sheng);  Liu XF (Liu Xing-Fang);  Wang L (Wang Lei);  Zhao WS (Zhao Wan-Shun);  Yang T (Yang Ting);  Wu HL (Wu Hai-Lei);  Yan GG (Yan Guo-Guo);  Zhao YM (Zhao Yong-Mei);  Ning J (Ning Jin);  Zeng YP (Zeng Yi-Ping);  Li JM (Li Jin-Min)
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集成傅里叶变换红外原位监测系统的原子层沉积装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102492939A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  张峰;  孙国胜;  王雷;  赵万顺;  刘兴昉;  闫果果;  曾一平
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连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102304763A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  刘兴昉;  郑柳;  董林;  闫果果;  王雷;  赵万顺;  孙国胜;  曾一平;  李晋闽
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HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102304698A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  刘兴昉;  董林;  郑柳;  闫果果;  王雷;  赵万顺;  孙国胜;  曾一平;  李晋闽
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