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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng QW;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Yin HB;  Chen H;  Lin DF;  Jiang LJ;  Feng C;  Li JM;  Wang ZG;  Hou X;  Deng, QW (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, daven@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng, QW;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Wang, CM;  Yin, HB;  Chen, H;  Lin, DF;  Li, JM;  Wang, ZG;  Hou, X;  Deng, QW (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China,daven@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng QW;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Yin HB;  Chen H;  Hou QF;  Lin DF;  Li JM;  Wang ZG;  Hou X;  Deng, QW (reprint author), Chinese Acad Sci, Ctr Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, daven@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng QW;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Yin HB;  Chen H;  Hou QF;  Lin DF;  Li JM;  Wang ZG;  Hou X
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng QW;  Wang XL;  Yang CB;  Xiao HL;  Wang CM;  Yin HB;  Hou QF;  Li JM;  Wang ZG;  Hou X;  Deng, QW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. daven@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hou QF;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Yang CB;  Yin HB;  Deng QW;  Li JM;  Wang ZG;  Hou X;  Hou, QF, Chinese Acad Sci, Ctr Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. qfhou@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hou QF;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Yang CB;  Yin HB;  Li JM;  Wang ZG;  Hou, QF, Chinese Acad Sci, Ctr Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. qfhou@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨其长;  徐志刚;  陈弘达;  泮进明;  魏灵玲;  刘文科;  周泓;  刘晓英;  宋昌斌
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng QW;  Wang XL;  Yang CB;  Xiao HL;  Wang CM;  Yin HB;  Hou QF;  Bi Y;  Li JM;  Wang ZG;  Hou X;  Deng, QW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. daven@semi.ac.cn
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倒锥波导耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-27, 2010-08-12
发明人:  尹小杰;  王 玥;  吴远大;  安俊明;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
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