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中国科学院半导体研究所机构知识库
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二维半导体材料的拉曼散射研究
学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
从鑫
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提交时间:2021/06/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen, X.
;
Lin, M-L
;
Cong, X.
;
Leng, Y-C
;
Zhang, X.
;
Tan, P-H
Adobe PDF(1232Kb)
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提交时间:2022/03/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
H.-N. Liu
;
X. Cong
;
M.-L. Lin
;
P.-H. Tan
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提交时间:2020/07/30
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ding K (Ding, K.)
;
Zeng YP (Zeng, Y. P.)
;
Wei XC (Wei, X. C.)
;
Li ZC (Li, Z. C.)
;
Wang JX (Wang, J. X.)
;
Lu HX (Lu, H. X.)
;
Cong PP (Cong, P. P.)
;
Yi XY (Yi, X. Y.)
;
Wang GH (Wang, G. H.)
;
Li JM (Li, J. M.)
;
Ding, K, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dingkai@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
Wei, HY (Wei, H. Y.)
;
Cong, GW (Cong, G. W.)
;
Zhang, PF (Zhang, P. F.)
;
Hu, WG (Hu, W. G.)
;
Wu, JJ (Wu, J. J.)
;
Jiao, CM (Jiao, C. M.)
;
Liu, XL (Liu, X. L.)
;
Zhu, QS (Zhu, Q. S.)
;
Wang, ZG (Wang, Z. G.)
;
Wei, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 10083, Peoples R China. 电子邮箱地址: why@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
张恩霞
;
钱聪
;
张正选
;
王曦
;
张国强
;
李宁
;
郑中山
;
刘忠立
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提交时间:2010/11/23
具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:
王进泽
;
杨香
;
颜伟
;
刘胜北
;
赵继聪
;
何志
;
王晓东
;
杨富华
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提交时间:2016/08/30