×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
半导体集成技术工程研... [9]
作者
文献类型
专利 [7]
学位论文 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2015 [2]
语种
英语 [1]
出处
J. Appl. P... [1]
资助项目
收录类别
SCI [1]
资助机构
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
无权访问的条目
学位论文
作者:
洪文婷
Adobe PDF(4143Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:351/11
  |  
提交时间:2015/06/02
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liuhong Ma
;
Weihua Han
;
Hao Wang
;
Wenting Hong
;
Qifeng Lyu
;
Xiang Yang
;
Fuhua Yang
Adobe PDF(1367Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:314/0
  |  
提交时间:2016/04/08
纳米孔与金属颗粒复合陷光结构太阳能电池及制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24
发明人:
陈燕坤
;
韩伟华
;
洪文婷
;
杨富华
Adobe PDF(454Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:752/89
  |  
提交时间:2014/11/17
硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18
发明人:
韩伟华
;
王昊
;
马刘红
;
洪文婷
;
杨晓光
;
杨涛
;
杨富华
Adobe PDF(1312Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:762/64
  |  
提交时间:2014/11/17
硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人:
韩伟华
;
杨晓光
;
杨涛
;
王昊
;
洪文婷
;
杨富华
Adobe PDF(1132Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:846/64
  |  
提交时间:2014/11/17
基于SOI衬底的Ⅲ-V族纳米线平面晶体管及制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:
洪文婷
;
韩伟华
;
吕奇峰
;
杨富华
Adobe PDF(1297Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:510/0
  |  
提交时间:2016/09/22
基于SOI衬底的横向纳米线叉指结构晶体管及制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:
洪文婷
;
韩伟华
;
吕奇峰
;
杨富华
Adobe PDF(996Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:649/0
  |  
提交时间:2016/09/22
一种围栅无结纳米线晶体管的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:
马刘红
;
韩伟华
;
付英春
;
洪文婷
;
吕奇峰
;
杨富华
Adobe PDF(842Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:560/2
  |  
提交时间:2016/09/22
SOI叉指结构衬底Ⅲ-Ⅴ族材料沟道薄膜晶体管及制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:
吕奇峰
;
韩伟华
;
洪文婷
;
杨富华
Adobe PDF(526Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:469/0
  |  
提交时间:2016/09/22