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| 一种用于低能离子束材料制备方法的离子源装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 刘志凯; 柴春林; 蒋渭生
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 韦文生; 王天民; 张春熹; 李国华; 卢励吾
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wei WS; Wang TM; Zhang CX; Li GH; Han HX; Ding K; Wei, WS, Beihang Univ, Ctr Mat Phys & Chem, Sch Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: weiwensheng287@sohu.com
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wei WS; Wang TM; Zhang CX; Li GH; Li YX; Wei WS,Beijing Univ Aeronaut & Astronaut,Sch Sci,Ctr Mat Phys & Chem,Sch Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 韦文生; 王天民; 张春熹; 李国华; 韩和相; 丁琨
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 韦文生; 王天民; 张春熹; 李国华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 韦文生; 王天民; 张春熹; 李国华; 韩和香; 丁琨
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| Study on optical band gap of boron-doped nc-Si : H film 会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者: Wei WS; Wang TM; Zhang CX; Li GH; Han HX; Ding K; Wei WS Beijing Univ Aeronaut & Astronaut Sch Sci Ctr Mat Phys & Chem Beijing 100083 Peoples R China.
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Amorphous-silicon |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wei WS; Wang TM; Zhang CX; Li GH; Han HX; Ding K; Wei WS,Beijing Univ Aeronaut & Astronaut,Sch Sci,Ctr Mat Phys & Chem,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 杨香; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 田丽欣; 刘敏; 申占伟; 赵万顺; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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