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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [6]
作者
魏同波 [3]
魏学成 [2]
闫建昌 [2]
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2011 [1]
2010 [1]
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2006 [1]
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang, L
;
Wei, XC
;
Liu, NX
;
Lu, HX
;
Zeng, JP
;
Wang, JX
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Zhang, L (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China,zhanglian07@semi.ac.cn
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浏览/下载:1305/411
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提交时间:2012/02/06
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei TB (Wei Tongbo)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Liu NX (Liu Naixin)
;
Lu HX (Lu Hongxi)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Wang GH (Wang Guohong)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Wei, TB, Chinese AcadSci, InstSemicond, Semicond Lighting Technol Res &DevCtr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@semi.ac.cn
Adobe PDF(437Kb)
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浏览/下载:1509/431
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提交时间:2010/11/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun CH
;
Wang NX
;
Zhou SY
;
Hu XJ
;
Chen P
;
Zhou, SY, Chinese Acad Sci, Tech Inst Phys & Chem, Beijing 100190, Peoples R China. 电子邮箱地址: chenlab@mail.ipc.ac.cn
;
zhou_shuyun@mail.ipc.ac.cn
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浏览/下载:1273/499
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提交时间:2010/03/08
Characterization of AlGaN on GaN template grown by MOCVD - art. no. 68410K
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Yan, JC
;
Wang, JX
;
Liu, NX
;
Liu, Z
;
Li, JM
;
Yan, JC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Semicond Lighting, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:2211/557
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提交时间:2010/03/09
Algan
Gan Template
A1n Interlayer
Mocvd
Crack
Interference Fringes
AlGaN layers grown on AlGaN buffer layer and GaN buffer layer using strain-relief interlayers - art. no. 68410S
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Liu, NX
;
Yan, JC
;
Liu, Z
;
Ma, P
;
Wang, JX
;
Li, JM
;
Liu, NX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:2581/749
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提交时间:2010/03/09
Algan
Ht-algan Buffer
Ht-interlayers
Ultraviolet (Uv) Led
High Quality AlGaN Grown on GaN Template with HT-AlN Interlayer
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Yan, JC
;
Wang, JX
;
Liu, Z
;
Liu, NX
;
Li, JM
;
Yan, JC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Semicond Lighting, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Diodes
无权访问的条目
期刊论文
作者:
刘超
;
王欣
;
袁海庆
;
钟宝嗾
;
祝宁暶
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang HY
;
Zhao FA
;
Chen NX
;
Liu G
;
Wang, HY, Tsing Hua Univ, Dept Phys, Beijing 100084, Peoples R China. 电子邮箱地址: wanghuaiyu@mail.tsinghua.edu.cn
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提交时间:2010/03/17
一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
纪攀峰
;
李京波
;
闫建昌
;
刘乃鑫
;
刘喆
;
王军喜
;
李晋闽
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提交时间:2011/08/31
适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙莉莉
;
闫建昌
;
王军喜
;
刘乃鑫
;
魏同波
;
魏学成
;
马平
;
刘喆
;
曾一平
;
王国宏
;
李晋闽
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提交时间:2011/08/31