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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo JY (Luo JunYan);  Wang SK (Wang Shi-Kuan);  He XL (He Xiao-Ling);  Li XQ (Li Xin-Qi);  Yan YJ (Yan YiJing);  Luo, JY, Zhejiang Univ Sci & Technol, Sch Sci, Hangzhou 310023, Peoples R China. 电子邮箱地址: jyluo@zust.edu.cn;  yyan@ust.hk
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固态量子比特的量子测量和量子输运全计数统计的条件主方程理论 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  王世宽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, SK (Wang, Shi-Kuan);  Jiao, HJ (Jiao, Hujun);  Li, F (Li, Feng);  Li, XQ (Li, Xin-Qi);  Yan, YJ (Yan, YiJing);  Wang, SK, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xqli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, SK (Wang, Shi-Kuan);  Jin, JS (Jin, Jinshuang);  Li, XQ (Li, Xin-Qi);  Wang, SK, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xqli@red.semi.ac.cn
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氮化镓系发光二极管及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  马平;  刘波亭;  甄爱功;  郭仕宽;  纪攀峰;  王军喜;  李晋闽
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Si衬底上GaN薄膜的生长方法及复合GaN薄膜 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  刘波亭;  马平;  郭仕宽;  甄爱功;  张烁;  吴冬雪;  王军喜;  李晋闽
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具有氮化镓系高阻层的HEMT及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  张烁;  马平;  郭仕宽;  刘波亭;  李晋闽;  王军喜
Adobe PDF(424Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：645/6  |  提交时间：2016/09/22