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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 任丙彦; 刘晓平; 许颖; 王敏花; 廖显伯
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张丙元; 李港; 陈檬; 于海娟; 夏军海; 郭晓萍; 任锋; 王勇刚; 马骁宇
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| Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth 会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者: Zhang ZC; Ren BY; Chen YH; Yang SY; Wang ZG; Zhang ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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Czochralski Method Growth From Melt Semiconductor Silicon Argon Gas Flow Computer Simulation Oxygen Content Furnace Pressure |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang ZC; Ren BY; Chen YH; Yang SY; Wang ZG; Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵红生; 张维连; 任丙彦; 张春玲
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 任丙彦; 张志成; 刘彩池; 郝秋燕; 王猛
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu CC; Wang HM; Li YX; Wang QL; Ren BY; Xu YS; Que DL; Liu CC,Zhejiang Univ,Natl Key Lab Silicon Mat,Hangzhou 310027,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Foxon CT; Hooper SE; Cheng TS; Orton JW; Ren GB; Ber BY; Merkulov AV; Novikov SV; Tret'yakov VV; Cheng TS,Univ Nottingham,Dept Phys,Univ Pk,Nottingham NG7 2RD,England.
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