中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Strain-induced morphological evolution and preferential interdiffusion in SiGe epitaxial film on Si(100) during high-temperature annealing 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:  Liu JP;  Kong MY;  Liu XF;  Li JP;  Huang DD;  Li LX;  Sun DZ;  Kong MY Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(265Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1609/272  |  提交时间：2010/11/15
Stranski-krastanow Growth  Quantum Dots  Relaxation  Inas  
Influence of crystal perfection on the reverse leakage current of the SiGe Si p-n heterojunction diodes 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:  Liu XF;  Liu JP;  Li JP;  Wang YT;  Li LY;  Sun DZ;  Kong MY;  Lin LY;  Liu XF Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr Beijing 100083 Peoples R China.
收藏  |  浏览/下载：1047/0  |  提交时间：2010/11/15
Layers  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP;  Kong MY;  Liu XF;  Li JP;  Huang DD;  Li LX;  Sun DZ;  Kong MY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(265Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1023/320  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu XF;  Liu JP;  Li JP;  Wang YT;  Li LY;  Sun DZ;  Kong MY;  Lin LY;  Liu XF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Mat Ctr,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(100Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：868/259  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP;  Kong MY;  Li JP;  Liu XF;  Huang DD;  Sun DZ;  Liu JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: liujp@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(198Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1038/294  |  提交时间：2010/08/12