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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin, XJ;  Xu, J;  Wang, XF;  Xie, Z;  Liu, Z;  Liang, B;  Chen, D;  Shen, GZ
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xie, Z;  Jin, XJ;  Chen, G;  Xu, J;  Chen, D;  Shen, GZ
Adobe PDF(1738Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：532/155  |  提交时间：2015/05/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  李国余;  张冶金;  李小健;  田立林
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倒装双结铟镓氮太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  杨翠柏;  肖红领;  胡国新;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李晋闽
Adobe PDF(676Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1631/220  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈少武;  余金中;  徐学俊;  黄庆忠;  余和军;  屠晓光;  李运涛
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单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  肖红领;  杨翠柏;  胡国新;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李建平;  李晋闽
Adobe PDF(676Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1650/246  |  提交时间：2009/06/11
生长氮化铟单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  肖红领;  胡国新;  杨翠柏;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李建平;  李晋闽
Adobe PDF(480Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1644/200  |  提交时间：2009/06/11
碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  马志勇;  冉学军;  王翠敏;  肖红领;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(724Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1670/233  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu J;  Jiao YH;  Jin P;  Lv XJ;  Wang ZG;  Wu, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wuju@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, J (Wu, J.);  Jin, P (Jin, P.);  Jiao, YH (Jiao, Y. H.);  Lv, XJ (Lv, X. J.);  Wang, ZG (Wang, Z. G.);  Wu, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wuju@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(586Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：872/215  |  提交时间：2010/03/29