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905 nm 外延叠层多有源区激光器的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  侯继达
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半导体激光器  脉冲激光器  大功率  905 Nm  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  S. Liu;  D. Lu;  R. Zhang;  L. Zhao;  W. Wang;  R. Broeke;  C. Ji
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li Chen;  Kai Chang;  X. G. Zheng;  S. H. Ji;  D. C. Wang;  D. P. Zhao
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhai, T;  Tan, SY;  Lu, D;  Wang, W;  Zhang, RK;  Ji, C
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu, Y;  Dou, XM;  Wei, B;  Zha, GW;  Shang, XJ;  Wang, L;  Su, D;  Xu, JX;  Wang, HY;  Ni, HQ;  Sun, BQ;  Ji, Y;  Han, XD;  Niu, ZC
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, XL;  Lu, D;  Zhang, RK;  Wang, W;  Ji, C
Adobe PDF(507Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:523/92  |  提交时间:2015/04/02
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, XL;  Lu, D;  Zhang, RK;  Wang, W;  Ji, C
Adobe PDF(507Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:710/145  |  提交时间:2015/03/20
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ji, D;  Liu, B;  Lu, YW;  Liu, GP;  Zhu, QS;  Wang, ZG
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei SL (Wei Shile);  Wu J (Wu Jian);  Zhao LJ (Zhao Lingjuan);  Yao C (Yao Chen);  Ji C (Ji Chen);  Lu D (Lu Dan);  Zhang XL (Zhang Xilin);  Yin ZS (Yin Zuoshan)
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一种生长二氧化硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓东;  季安;  邢波;  杨富华
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