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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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提交时间:2010/09/07
两端结构中长波同时响应量子阱红外探测器及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081985.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
霍永恒
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马文全
;
种明
;
张艳华
;
陈良惠
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提交时间:2011/08/31
电压调制型中长波双色量子阱红外探测器及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081984.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:
霍永恒
;
马文全
;
种明
;
张艳华
;
陈良惠
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提交时间:2011/08/31