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电压调制型中长波双色量子阱红外探测器及其制作方法; 电压调制型中长波双色量子阱红外探测器及其制作方法
霍永恒; 马文全; 种明; 张艳华; 陈良惠
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31 ; 2011-08-31 ; 2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种电压调制型中长波双色量子阱红外探测器,包括:一半绝缘半导体GaAs衬底;一第一半导体GaAs接触层,制作在半绝缘半导体GaAs衬底上;一第一多量子阱红外探测器,制作在第一半导体GaAs接触层上,在第一半导体GaAs接触层的一侧形成一台面;一第二半导体GaAs接触层,制作在第一多量子阱红外探测器上;一第二多量子阱红外探测器,制作在第二半导体GaAs接触层上;一第三半导体GaAs接触层,制作在第二多量子阱红外探测器上;一上接触电极和下接触电极,分别制作在第三半导体GaAs接触上和第一半导体GaAs接触层形成的台面上。
部门归属纳米光电子实验室
专利号CN200910081984.X
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910081984.X
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22453
专题纳米光电子实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
霍永恒,马文全,种明,等. 电压调制型中长波双色量子阱红外探测器及其制作方法, 电压调制型中长波双色量子阱红外探测器及其制作方法. CN200910081984.X.
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