×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中科院半导体照明研发... [2]
半导体集成技术工程研... [2]
中科院半导体材料科学... [1]
作者
文献类型
专利 [4]
期刊论文 [1]
发表日期
2016 [1]
语种
出处
ACS Photon... [1]
资助项目
收录类别
SCI [1]
资助机构
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Nan Guan
;
Xing Dai
;
Agnès Messanvi
;
Hezhi Zhang
;
Jianchang Yan
;
Eric Gautier
;
Catherine Bougero
;
François H. Julien
;
Christophe Durand
;
Joël Eymery
;
Maria Tchernycheva
Adobe PDF(3239Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:260/2
  |  
提交时间:2017/03/16
沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-10
发明人:
何志
;
张峰
;
樊中朝
;
赵咏梅
;
孙国胜
;
季安
;
杨富华
Adobe PDF(428Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:929/98
  |  
提交时间:2014/10/29
一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:
刘胜北
;
何志
;
刘斌
;
杨香
;
刘兴昉
;
张峰
;
王雷
;
田丽欣
;
刘敏
;
申占伟
;
赵万顺
;
樊中朝
;
王晓峰
;
王晓东
;
赵永梅
;
杨富华
;
孙国胜
;
曾一平
Adobe PDF(1167Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:892/0
  |  
提交时间:2016/09/29
半导体器件、透明金属网状电极及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-02
发明人:
张硕
;
段瑞飞
;
何志
;
魏同波
;
张勇辉
;
伊晓燕
;
王军喜
;
李晋闽
Adobe PDF(389Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:823/4
  |  
提交时间:2016/09/02
材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:
赵永梅
;
何志
;
季安
;
刘胜北
;
黄亚军
;
杨香
;
段瑞飞
;
张明亮
;
王晓东
;
杨富华
Adobe PDF(323Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:812/3
  |  
提交时间:2016/09/28