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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: J X Ran; B Y Liu; X L Ji; A Fariza; Z T Liu; J X Wang; P Gao; T B Wei
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: S. Luo; H.M. Ji; F. Gao; F. Xu; X.G. Yang; P. Liang; T. Yang
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: F. Gao; S. Luo; H.M. Ji; X.G. Yang; P. Liang; T. Yang
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| 硅中离子注入硫属元素引入深能级的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者: 高利朋
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Mao X (Mao Xue); Han PD (Han Pei-De); Hu SX (Hu Shao-Xu); Gao LP (Gao Li-Peng); Li XY (Li Xin-Yi); Mi YH (Mi Yan-Hong); Liang P (Liang Peng)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou WZ (Zhou W. Z.); Lin T (Lin T.); Shang LY (Shang L. Y.); Yu G (Yu G.); Gao KH (Gao K. H.); Zhou YM (Zhou Y. M.); Wei LM (Wei L. M.); Cui LJ (Cui L. J.); Zeng YP (Zeng Y. P.); Guo SL (Guo S. L.); Chu JH (Chu J. H.); Zhou, WZ, E China Normal Univ, Minist Educ, Key Lab Polar Mat & Devices, Shanghai 200062, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhouwz@mail.sitp.ac.cn; jhchu@mail.sitp.ac.cn
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| 一种氮化物薄膜外延生长的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人: 闫发旺; 高海永; 张 扬; 张会肖; 李晋闽; 曾一平; 王国宏
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| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬
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| 一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高永海; 张扬; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 冉启江; 韩培德 ; 全宇军; 高利朋; 曾凡平; 赵春华
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